3月14日，三菱電機官網(wǎng)宣布，他們計劃建設(shè)新的晶圓廠，以加強SiC功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。
根據(jù)公告，三菱電機將在2021財年至2025財年向功率器件業(yè)務(wù)投資2600億日元（約合人民幣133億元），投資金額是之前宣布的投資計劃的兩倍。
其中，約1000億日元（約合人民幣51億元）將用于建造一個新的8英寸SiC晶圓廠，并增強相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)施，以應(yīng)對電動汽車市場的擴張需求。
新的8英寸SiC晶圓廠渲染圖
據(jù)了解，三菱電機的新工廠將建在日本熊本縣，主要用于生產(chǎn)大直徑8英寸SiC晶圓，并通過引入具有最先進節(jié)能性能的潔凈室設(shè)備，實現(xiàn)高效率生產(chǎn)。同時，三菱電機還將加強其6英寸SiC晶圓的生產(chǎn)設(shè)施，以進一步擴大業(yè)務(wù)。
三菱電機早在1994年就開始碳化硅技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用，多年來他們已經(jīng)率先將碳化硅技術(shù)應(yīng)用在了家電、工業(yè)設(shè)備、軌道車輛等領(lǐng)域。而這次建設(shè)新的產(chǎn)線，主要是為了進軍新能源汽車市場。
從技術(shù)路線來看，根據(jù)三菱電機的公開資料，他們已經(jīng)開發(fā)了3代SiC MOSFET技術(shù)，前兩代為平面柵技術(shù)，而第三代有2個路線——內(nèi)置SBD和溝槽柵MOSFET。
早在2019年9月，三菱電機便宣布開發(fā)出了溝槽型SiC MOSFET，他們將之稱為“MIT2-MOS”。
該架構(gòu)采用多離子傾斜注入技術(shù), 實現(xiàn)了“低柵氧場強”和“低溝道電阻”，導(dǎo)通電阻1.84mΩcm2，擊穿電壓超過1500V。并且三菱電機還表示，這種架構(gòu)無需特殊工藝，可生產(chǎn)性強。
來源：行家說三代半