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導(dǎo)電型4H-SiC外延晶片

      深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司為客戶提供低缺陷密度高均勻性的4、6英寸n型4H-SiC外延晶片，其中外延層厚度為1μm至35μm，摻雜濃度為1E15—1E18 cm^（-3）。產(chǎn)品主要用于制造結(jié)勢壘肖特基功率二極管（JBS）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）。其應(yīng)用領(lǐng)域包括白色家電等消費電子、電動汽車、軌道交通、國家電網(wǎng)等。

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